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南亚科10纳米DRAM技术终于有了新突破
2020-01-27 11:15浏览量:返回上一页
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南亚科芯片.jpg

据台湾《联合报》报道,日前宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术,将在今年下半年试产。

据悉,全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。

南亚科现在以20纳米技术为主力,技术来源为美光。随着南亚科10纳米制程导入自主技术,意味未来不再仰赖美光授权,每一颗产品都是公司自行开发,摆脱数十年来技术长期依赖国际大厂的状况,免除动辄上百亿元的授权费用,包袱大减。

李培瑛表示,南亚科已成功开发出10纳米DRAM新型记忆体生产技术,使DRAM产品可持续微缩至少三个时代。第一代的10纳米前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台,2020下半年后将进入产品试产。

第二代10纳米制程技术已开始研发阶段,预计2022年前导入试产,后续会开发第三代10纳米制程技术。他强调,南亚科进入10纳米制程之后,会以自行研发的技术为主,降低授权费用支出,能大幅提升效能。

顺应10纳米制程发展,南亚科今年资本支出金额将高于去年的55亿元。李培瑛说,除可改善成本,南亚科成功自主开发10纳米制程技术,将有助掌握朝高密度新产品发展机会与技术进展。

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